【第一參賽人/留學人員】羅志耀
【留學國家】美國
【技術領域】新一代信息技術
【參賽屆次】第9屆
【所獲獎項】入圍
【項目簡介】
項目研發周期預計為3年，本項目研究內容主要支持手機射頻芯片國產化，其中包括 4 種不同的射頻前端產品，它們分別是：FCX11088(多模多頻段功放模塊)、FCX11077(5G n77功放模塊包括濾波器和低噪聲放大器)、FCX61825(5G低頻段L-PAMiD模塊)、FCX61885（5G中高頻段L-PAMiD模組），雖然他們有不同的架構和應用，但我們可以總結其技術共同點如下：系統封裝模塊(SiP)、高度集成的模塊設計。該項目的完成能達到以下目標：1、使得項目能夠創建一流的射頻前端模塊產品，并作為公司下一級產品的基石；2、使得企業內部資金可以良性循環，投入更多在新產品的研發以及技術升級上，提高我們在世界上同行業領域的國際競爭力；3、可以幫助模塊供應商共同提升整體芯片行業的制造技術，在提高了技術的同時又可以大幅度縮短新產品開發周期。
【展開】
【收起】